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TTR 200 N皮拉尼真空計(jì)

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產(chǎn)品編碼 230365V02
型號 TTR 200 N
接口法蘭 DN 16 ISO-KF
壓強(qiáng)范圍 5 x 10-5 mbar - 1500 mbar
連接電纜 類型 A
產(chǎn)品詳情
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TTR 200 N皮拉尼真空計(jì)


TTR 200 N THERMOVAC 系列真空變送器可提供從 5×10-5 毫巴至 1500 毫巴的較大測量范圍,基于對 MEMS Pirani 硅芯片傳感器上小空腔中的熱傳導(dǎo)性和壓電傳感器中硅膜的機(jī)械偏轉(zhuǎn)的測量結(jié)果。

變送器配備 RS232 數(shù)字通信接口,可設(shè)定變送器參數(shù)并提供實(shí)時(shí)壓力測量。更多詳情,請參閱通信協(xié)議 300544663 (RS232)。

每臺變送器在出廠前已逐臺進(jìn)行全量程測試。測試報(bào)告隨附在包裝中。此外,每個(gè)變送器壓力讀數(shù)均在指定操作溫度范圍內(nèi)逐一得到溫度補(bǔ)償。

變送器擁有三個(gè)機(jī)械繼電器,這些繼電器可用于過程控制,例如閥或泵的聯(lián)鎖。模擬電壓輸出可連接至外部模擬設(shè)備,用于獲取壓力讀數(shù),或進(jìn)行壓力控制。

 

傳感器技術(shù)

變送器含有兩個(gè)獨(dú)立的傳感器元件。MEMS Pirani (MEMS = Micro-Electro-Mechanical-System (微電子機(jī)械系統(tǒng))) 傳感器元件基于熱傳導(dǎo)性的測量結(jié)果。MEMS Pirani 傳感器包含一個(gè)帶有熱電阻元件的硅芯片,其構(gòu)成空腔的一個(gè)表面。芯片頂部的封蓋形成空腔的另一表面。由于傳感器的幾何形狀,空腔內(nèi)無法進(jìn)行對流,因此,傳感器對安裝位置并不敏感。通過擴(kuò)散,氣體分子只到達(dá)熱元件,在此處可測量氣體的熱損耗。

壓電傳感器基于對硅膜機(jī)械偏轉(zhuǎn)的測量。硅膜的一側(cè)暴露于環(huán)境壓力,另一側(cè)暴露于真空。

壓電傳感器可測量無關(guān)于氣體成分和濃度的真實(shí)差壓。

這兩個(gè)傳感器元件都極為堅(jiān)固耐用,可承受較高重力和瞬間空氣涌入。

變送器可用于眾多不同領(lǐng)域的真空應(yīng)用中,如:工業(yè)應(yīng)用、研發(fā)、半導(dǎo)體、分析和涂料工業(yè)中:

· 真空鎖壓力控制

· 一般真空壓力測量  

· 前級管道和粗抽壓力測量

· 氣體回填測量和控制

· 質(zhì)譜儀控制

· 啟動(dòng)超高真空電離 (UHV) 規(guī)  

· 系統(tǒng)過程控制

· 檢測異常壓力,利用設(shè)定點(diǎn)繼電器采取妥當(dāng)?shù)陌踩胧?/span>

· 控制系統(tǒng)壓力

應(yīng)用

差分壓電傳感器將始終相對于環(huán)境壓力進(jìn)行精確的測量,不論環(huán)境條件如何改變。這使其成為以下高精度控制的理想備選:

- 真空鎖 (確保精確快速的排氣并防止真空鎖受到空氣污染)

- 相對于環(huán)境的腔室超壓和欠壓控制。  



例如:

一名客戶想要在 10 毫巴的相對環(huán)境超壓下打開真空鎖,以免在他打開真空鎖時(shí)氣體涌入真空鎖。為此,此客戶可以基于差分壓電讀數(shù)來執(zhí)行一種控制算法。當(dāng)壓電讀數(shù)為 +10 毫巴時(shí),表示真空鎖中的壓力較真空鎖外的環(huán)境壓力超出 10 毫巴 (不論環(huán)境壓力是多少,例如 1000 1020 毫巴)。除差分測量之外,變送器還提供較寬的絕對測量范圍,此范圍可通過模擬輸出獲得。


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